泰科天潤：國產SiC Mosfet做好持久戰準備

【資料圖】

6月15日，集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會上，泰科天潤應用測試中心總監高遠呼吁，要結合材料、設備、工藝、生產效率等多維度及從產業鏈整理發展的視角綜合評估SiC MOSFET產品；另外，國產SiC MOSFET在特性、一致性、可靠性、應用驗證與國際領先水平尚有差距，需要穩扎穩打做好持久戰準備，跟上國際發展腳步不掉隊就是勝利。據介紹，2019年泰科天潤在長沙啟動6英寸碳化硅晶圓廠，2021年向市場出貨，今年年底產能將完成第二階段擴產達到10萬片/年。

關鍵詞