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中國科大在氧化鎵半導體器件領域取得重要進展|全球快播

2022-12-13 08:25:53  |  來源:云財經  |    


(資料圖片)

《科創板日報》13日訊，據中國科大發布，在世界頂級的半導體和電子器件技術論壇IEEE IEDM上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)成功被大會接收，這也是中國科大首次以第一作者單位在IEEE IEDM上發表論文。該研究通過合理設計優化JTE區域的電荷濃度，確保不影響二極管正向特性的同時最大化削弱肖特基邊緣電場，從而有效提高器件的耐壓能力。

關鍵詞 重要進展 半導體器件

編輯：HE02
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